Ge undotiert auf Leiterplatte - Wechselplatine zur Untersuchung der Leitfähigkeit für undotiertes Germanium in Abhängigkeit von der Temperatur

Das Ge-Kristall ist aufgelötet auf  Wechselplatine für das Hall-Effekt-Grundgerät, mit Kontakten für Querstrom, integrierte Widerstandsheizung mit Thermofühler direkt unter Kristall.

Technische Daten des Ge undotiert auf Leiterplatte: 

• Kristallabmessungen: 20 mm x 10 mm x 1mm

• Vielfachstecker zum Anschluss der Leiterplatte an Hall-Effekt Grundgerät

• Abmessungen: 10 cm x 10 cm x 1 cm

• Masse: 200 g 

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